A semmibõl érkezett bejelentés szerint újdonságuk sokkal hatékonyabb, mint az ismert 7 nm-es eljárások

Sokan Gordon Moore, az Intel egyik alapítójának törvényét emlegették, miután találkoztak az IBM friss bejelentésével, melyben leplezték a világ elsõ két 2 nm-es eljárással készült chipjeit. Úgy tûnik, hogy a félvezetõipar most egy újabb lépéssel kerülhet közelebb a jövõhöz, hiszen nem is olyan hosszú idõ múlva az új apróságok beköltözhetnek az okostelefonok, laptopok és más digitális eszközök burkolata alá.

Néhány évvel ezelõtt még számos számítógép vagy laptop burkolatán díszelgett az ismerõs IBM logó, ám az, hogy ma már ritkábban találkozhatunk a nevükkel, az távolról sem jelenti azt, hogy a veterán vállalat valóban a háttérbe szorult volna. Az IBM a világ egyik vezetõ kutatóközpontja a jövõbeli félvezetõ-technológiák terén, és annak ellenére, hogy nincsenek saját gyártóparkjaik, az IBM másokkal együttmûködve fejleszt gyártásra váró szellemi tulajdont. Erre jó példa ez a hír is, hiszen a hardver- és szoftverfejlesztéssel egyaránt foglalatoskodó cég most egy olyan szabadalommal állhatott elõ, mely valóban fejlettebb lehet, mint bármi, amit jelenleg a chipgyártásban alkalmaznak. A nanométerek emlegetése sokaknak kifejezetten megtévesztõ lehet, és idõnként a cégek képviselõi és mérnökei is megjegyzik, hogy ezeket a számokat nem feltétlenül kell szó szerint érteni. Például az is megeshet, hogy két konkurens cég fejlesztése elõtt eltérõ szám szerepel, de valójában teljesítmény és hatékonyság szempontjából is közel egyenértékûek. Amire ezúttal is figyelnünk kell, az a tranzisztorszám, ugyanis mostantól drasztikusan megnõhet az egyetlen chipre levetített tranzisztorsûrûség.

Ha az IBM ígéretei valósak, új 2 nm-es fejlesztésük a jelenleg is elterjedt 7 nm-es lapkákhoz képest 45 %-kal több teljesítményt szabadíthat fel, míg az eközben felhasznált energia 75 %-kal lehet kevesebb. Az AnandTech cikkében négyzetmilliméterenként 333 millió tranzisztorról olvashatunk (MTr/mm2), amit, ha összehasonlítunk a TSMC legfejlettebb 5 nm-es megoldásaival, akkor ott 173 milliót tranzisztor jut egy négyzetmilliméterre, míg a Samsung 5 nm-es gyártósorain 127 millió. A drámaian nagy ugrás egyetlen szépséghibája, hogy a bemutatott szilíciumostya és az aprócska chip egyelõre csak a fejlesztés sikerét bizonyítja, a valós termékek gyártásától sajnos még évekre lehetünk. Ez igazán izgalmas versenyt eredményezhet, hiszen a TSMC idén már kísérleti gyártás alá vonná 3nm-es eljárását, jövõ év végén pedig akár be is vezethetné, mely saját 5nm-es eljárásához képest 1.7-szeres tranzisztorsûrûséget, 27 %-kal jobb fogyasztást és 11 %-os teljesítménynövekedést ígér.

Az egészen minimális helyre milliárdszám bezsúfolt tranzisztorok, az IBM esetében a Gate All Around FET (GAAFET), avagy nanohuzalos technológia segítségével valósultak meg, melyre a TSMC 2 nm-en, a Samsung pedig 3 nm-en áll át, de szóba került az Intel is, aki 5 nm-en vetheti be a technológiát, amennyiben egyszer elér odáig. Utóbbinak amúgy kapóra jöhet az IBM-mel közös munka, hiszen az IBM a Samsung mellett velük is együttmûködik. A friss fejlesztések és technológiák némelyike az Intelnél is nagyban segítheti az elõrelépést, bár attól egyelõre nem kell tartanunk, hogy egyhamar elõrukkolnak 2 nm-es gyártásra tervezett processzorokkal, hiszen esetükben még a 7 nm is egy megmászásra váró létra. Az iparnak mindenesetre jót tesznek az ilyen húzások, hiszen 2017-ben még 5 nm-rõl és 30 milliárd tranzisztorról hallhattunk, most meg útban a 2 nm, mely az IBM szerint „50 milliárd tranzisztort tud egy köröm nagyságú chipbe" zsúfolni.

Kíváncsian várjuk, hogy mikor csiszolják tökéletesre a fejlesztést, és hogy melyik gyártó eszközeiben találkozhatunk velük elõször, ami most fõleg azért kérdéses, hiszen a jelenlegi félvezetõhiány miatt még a kidolgozott eljárásokat sem vethetik be teljes kihasználtság mellett.