Samsung MZ-VAP4T0BW *Kapacitás: 4 TB *Interfész: PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0 *Forma: M.2 (2280) *Méretek: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm *Tömeg: legfeljebb 9 g *NAND flash memória: Samsung V-NAND TLC (V8) *Kontroller: Samsung saját fejlesztésű (5 nm) *DRAM cache memória: 4 GB LPDDR4X *Szekvenciális olvasási sebesség: legfeljebb 14 800 MB/s *Szekvenciális írási sebesség: legfeljebb 13 400 MB/s *Véletlenszerű olvasás (4KB, QD32): legfeljebb 2 200 000 IOPS *Véletlenszerű írás (4KB, QD32): legfeljebb 2 600 000 IOPS *Átlagos energiafogyasztás (olvasás/írás): 9,0 W / 8,2 W *Energiafogyasztás (készenléti állapot): 6,5 mW *L1.2 mód fogyasztás: 5,7 mW *Üzemi hőmérséklet: 0°C - 70°C *Nem üzemi hőmérséklet: -40°C - 85°C *Ütésállóság: 1 500 G, 0,5 ms (fél szinusz hullám) *MTBF (átlagos meghibásodásmentes idő): 1,5 millió óra *TBW (írási terhelhetőség): 2 400 TB *Titkosítás: AES 256-bit, TCG/Opal 2.0, IEEE1667 *Támogatott funkciók: TRIM, S.M.A.R.T, Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard *Szoftver: Samsung Magician *RoHS megfelelőség: Igen *Kompatibilitás: PCIe 5.0 rendszerekkel és PlayStation 5-tel