Az új felfedezés komoly lendületet adhat a technológiai fejlesztéseknek
Különleges új anyag felfedezéséről számolt be a Samsung, mely többek között új irányt szabhat a félvezetőgyártásnak, tágabb értelemben pedig új távlatokat nyithat az elektronikus egységek miniatürizálásában. A nemzetközi együttműködés keretében létrejött eredmény szabad fordításban az amorf bór-nitrid (amorphous boron nitride), és az elismert Nature folyóirat szerint jelentős eredményt jelent az elektronika jövőjének szempontjából.
A tanulmány nemzetközi együttműködésből született, konkrétan a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT), az Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), és a University of Cambridge (Cambridge Egyetem), illetve a Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2, Spanyolország) kutatóinak közös érdeme. A SAIT az utóbb időben a méretezhetőség kihívásait igyekezett leküzdeni, és az úgynevezett kétdimenziós anyagokkal foglalkozott, melyek olyan „egyrétegű atomokkal rendelkező kristályos anyagok”, mint például a rugalmas, de az acélnál is keményebb grafén. A félvezetőgyártásban kiemelkedő szerep jut ezeknek az anyagoknak, mivel az elektronikus áramkörökben lévő logikai és memóriaeszközök miniatürizálásának folyamatában az összekapcsolódások - a „fémhuzalok”, amelyek a chip különböző eszközösszetevőit összekapcsolják - méretének visszaszorítása elengedhetetlen az eszköz jobb teljesítményének és gyorsabb reakciójának garantálása érdekében.
Az amorf bór-nitrid (a-BN) nagy előrelépés a modern fejlesztések számára, a kutatócsoport pedig megjegyezte, hogy az elektronikus áramkörök következő generációjában hatalmas szerep hárulhat az újonnan gyártott anyagra, elsősorban mint összekapcsolt szigetelő. Az amorf bór-nitrid elsőosztályú, ultra-alacsony dielektromos állandója (1.78) erős elektromos és mechanikai tulajdonságokkal rendelkezik, és az elektromos zavarok minimalizálása érdekében összekapcsolható szigetelő anyagként használható. Amit külön kiemeltek, hogy a gyártási folyamatokhoz viszonyítva alacsonynak számító 400°C-on is képesek voltak ostyát (wafer) növeszteni belőle, emiatt a jövőben széles körben alkalmazhatják DRAM, NAND, és nagyformátumú szerverekbe szánt memóriamegoldások készítéséhez is.
A sikeres kísérletek alapján az utóbbi évek egyik legígéretesebb technológiai fejlesztéséről beszélnek, de arra is kitérnek, hogy még rengeteg munka áll előttük, hiszen nem csak a technológia egyéb területein szeretnének új alkalmazásterületeket találni az anyag számára, de előbb a már meglévő félvezetőgyártásba szeretnék sikerrel integrálni. Seongjun Park a SAIT feje büszkén és bizakodón jelentette ki, hogy tovább folytatják az új anyagok fejlesztését, hogy ezzel vezessék a félvezetők paradigmaváltását. Természetesen a szkeptikus hangok is megjelentek, melyek azt hangoztatják, hogy egy újabb költséges kutatásról hallhatunk, melynek a piacon még hosszú éveken át nyoma sem lesz, de ha mégis, akkor a gyártási költségek miatt ezek a termékek rendkívül drágák lesznek.